Název: Studium defektů v gradovaných tenkých vrstvách SiGe/Si pomocí rozptylu rtg.záření
Překlad názvu: X-ray investigation of defects in graded SiGe/Si thin layers
Autoři: Endres, Jan ; Daniš, Stanislav (vedoucí práce) ; Holý, Václav (oponent)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2010
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]


Instituce: Fakulty UK (VŠKP) (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dostupné v digitálním repozitáři UK.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/20.500.11956/34211

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-298683


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Univerzita Karlova > Fakulty UK (VŠKP)
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce
 Záznam vytvořen dne 2017-05-09, naposledy upraven 2022-03-04.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet