Název: Diagnostika polovodičových materiálů metodou EBIC
Překlad názvu: Diagnostic of semiconductor materials by EBIC method
Autoři: Davidová, Lenka ; Máca, Josef (oponent) ; Čudek, Pavel (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2017
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze] [eng]
Diplomová práce je zaměřena na diagnostiku polovodičových materiálů metodou EBIC (měření proudů indukovaných svazkem), stanovování doby života minoritních nosičů, resp. jejich difuzní délky. V teoretické části práce je uveden princip rastrovacího elektronového mikroskopu, jeho charakteristické vlastnosti mikroskopu a signály vznikající při interakci svazku primárních elektronů se vzorkem. Dále je v práci popsána struktura polovodivého křemíku, jeho pásové modely, typy poruch krystalové mříže a vytvoření nevlastních polovodičových struktur. Následně je popsána teorie výpočtu doby života minoritních nosičů náboje a výpočty difuzní délky minoritních nosičů náboje v polovodičích typu N a P. Cílem experimentální části práce je měření vlastností polovodičových struktur metodou EBIC a stanovení difuzní délky a doby života minoritních nosičů náboje na základě změřených dat. Master´s thesis is focused on diagnostics of semiconductor materials by EBIC method (measuring of currents induced beam), determination of the lifetime of minority carriers, or their diffusion length. The theoretical part is aimed at the principle of scanning electron microscopy, the characteristic properties of the microscope and the signals generated by the interaction of the primary electron beam with the sample. The thesis describes a structure of semiconducting silicon, band models, types of lattice defects and doped of semiconductor structures. After that it is described the theory of calculation of the diffusion length of minority carriers in semiconductors of type N and P. The aim of the experiment part of the thesis is to measure the properties of the semiconductor structure by EBIC and determination of diffusion length and lifetime of minority charge carriers based on the measured data The aim of the experiment part of the thesis is to measure the properties of the semiconductor structure by EBIC and determination of diffusion length and lifetime of minority charge carriers on the basis of the measured data.
Klíčová slova: difuzní délka nosičů; doba života nosičů; EBIC; nevlastní polovodič; PN přechod; Rastrovací elektronový mikroskop; urychlovací napětí.; vlastní polovodič; acceleration voltage.; carrier lifetimes; diffusion length; EBIC; extrinsic semiconductor; intrinsic semiconductor; PN junction; Scanning electron microscope

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/67147

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-319289


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce