host ::
| Hlavní stránka > Konferenční materiály > Příspěvky z konference > Model of carrier multiplication due to impurity impact ionization in boron-doped diamond |
Název:
Model of carrier multiplication due to impurity impact ionization in boron-doped diamond
Autoři: Mortet, Vincent ; Lambert, Nicolas ; Hubík, Pavel ; Soltani, A.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: NANOCON 2018 -International Conference on Nanomaterials - Research and Application /10./, Brno (CZ), 20181017
Rok: 2019
Jazyk: eng
Abstrakt: Boron-doped diamond exhibits a characteristic S-shaped I-V curve at room temperature [1] with two electrical conductivity states, i.e., low and high conductivity, at high electric fields (50 – 250 kV.cm-1) due to the carrier freeze-out and impurity impact ionization avalanche effect. To our knowledge, the carrier multiplication during the change of the conductivity state has not been studied. In this article, we investigate theoretically the effect of acceptor concentration and compensation level on the carrier multiplication coefficient at room temperature to determine the optimal dopants concentration of maximum carrier multiplication. The room temperature hole concentration of boron-doped diamond has been calculated for various acceptor concentration and compensation ratio by solving numerically the charge neutrality equation within the Boltzmann approximation of the Fermi-Dirac statistic.\n
Klíčová slova: Boron-doped diamond; carrier multiplication coefficient; impurity impact ionization; semiconductor
Číslo projektu: GA17-05259S (CEP), Fellowship J. E. Purkyně
Poskytovatel projektu: GA ČR, AV ČR
Zdrojový dokument: NANOCON 2018 : Conference Proceedings of the International Conference on Nanomaterials - Research & Application /10./, ISBN 978-80-87294-89-5
Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný na externích webových stránkách.
Externí umístění souboru: https://www.nanocon.eu/files/uploads/01/NANOCON2018%20-%20Conference%20Proceedings_content.pdf
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0306583
Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-409694
Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference
Autoři: Mortet, Vincent ; Lambert, Nicolas ; Hubík, Pavel ; Soltani, A.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: NANOCON 2018 -International Conference on Nanomaterials - Research and Application /10./, Brno (CZ), 20181017
Rok: 2019
Jazyk: eng
Abstrakt: Boron-doped diamond exhibits a characteristic S-shaped I-V curve at room temperature [1] with two electrical conductivity states, i.e., low and high conductivity, at high electric fields (50 – 250 kV.cm-1) due to the carrier freeze-out and impurity impact ionization avalanche effect. To our knowledge, the carrier multiplication during the change of the conductivity state has not been studied. In this article, we investigate theoretically the effect of acceptor concentration and compensation level on the carrier multiplication coefficient at room temperature to determine the optimal dopants concentration of maximum carrier multiplication. The room temperature hole concentration of boron-doped diamond has been calculated for various acceptor concentration and compensation ratio by solving numerically the charge neutrality equation within the Boltzmann approximation of the Fermi-Dirac statistic.\n
Klíčová slova: Boron-doped diamond; carrier multiplication coefficient; impurity impact ionization; semiconductor
Číslo projektu: GA17-05259S (CEP), Fellowship J. E. Purkyně
Poskytovatel projektu: GA ČR, AV ČR
Zdrojový dokument: NANOCON 2018 : Conference Proceedings of the International Conference on Nanomaterials - Research & Application /10./, ISBN 978-80-87294-89-5
Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný na externích webových stránkách.
Externí umístění souboru: https://www.nanocon.eu/files/uploads/01/NANOCON2018%20-%20Conference%20Proceedings_content.pdf
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0306583
Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-409694
Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference
Záznam vytvořen dne 2020-02-12, naposledy upraven 2022-09-29.