Název: GaAsSb strain reducing layer covering InAs/GaAs quantum dots
Autoři: Zíková, Markéta ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Oswald, Jiří ; Kubištová, Jana ; Hulicius, Eduard ; Komninou, Ph. ; Kioseoglou, J. ; Nikitis, F.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./, Krkonoše (CZ), 2013-06-28 / 2013-07-02
Rok: 2013
Jazyk: eng
Abstrakt: GaAsSb is often used as a capping material for InAs quantum dots (QDs) due to its suitable conduction band alignment and suppression of In segregation from QDs during the capping process.We have found out that during the GaAsSb layer growth, Sb atoms segregate above InAs QDs, which is proved by the AFM and HRTEM measurements. For higher amount of Sb in GaAsSb, the measured photoluminescence (PL) has longer wavelength, but if it is too high, the structure may become type II with decreased PL intensity. For thick GaAsSb layer, the PL intensity decreases, because only big QDs participate to the PL.
Klíčová slova: GaAsSb; InAs; quantum dot; strain reducing layer
Číslo projektu: GA13-15286S (CEP), 7AMB12GR034 (CEP), LM2011026 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR, GA MŠk, GA MŠk
Zdrojový dokument: Studentská vědecká konference fyziky pevných látek /3./, ISBN 978-80-01-05344-7

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0226876

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-166098


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference