Název: Characterisation of InAs/GaAs quantum dots by high resolution transmission electron microscopy
Autoři: Zíková, Markéta ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Hulicius, Eduard ; Komninou, Ph. ; Kioseoglou, J.
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Student Scientific Conference on Solid State Physics /4./, Nové Hrady (CZ), 2014-06-23 / 2014-06-27
Rok: 2014
Jazyk: eng
Abstrakt: The InAs/GaAs quantum dots (QDs) covered by GaAsSb strain reducing layer (SRL) have suitable properties for various applications. The GaAsSb SRL covering InAs QDs is used to improve the structure growth and the final parameters like QD density, QD size or photoluminesence. To obtain high-quality structure with required properties, the structure growth and final structure have to be deeply studied. Since the QDs and SRL system is surrounded by GaAs, the high resolution transmission electron microscopy (HRTEM) measurement was used to reveal the real material arrangement in a prepared sample. In this work we will discuss the results of following HRTEM measurements: flatness and thickness of prepared layers, QD size, atomic arrangement and composition of GaAsSb layer.
Klíčová slova: GaAsSb; high resolution transmission electron microscopy; InAs; quantum dot
Číslo projektu: GA13-15286S (CEP), 7AMB12GR034 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR, GA MŠk
Zdrojový dokument: Sborník příspěvků 4. studentské vědecké konference fyziky pevných látek, ISBN 978-80-01-05565-6

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0237147

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-181080


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference