Název: Depozice gallium-nitridových tenkých vrstev na křemíkové substráty strukturované elektronovou litografií
Překlad názvu: Gallium-nitride thin-film deposition on substrates structured by electron beam lithography
Autoři: Knotek, Miroslav ; Mach, Jindřich (oponent) ; Voborný, Stanislav (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2013
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]
Bakalářská práce se zabývá depozicí tenkých vrstev nitridu gallitého (GaN) na křemíkové substráty, které byly strukturovány elektronovou litografií. V práci jsou zkoumány možnosti použití rezistů pro selektivní růst nanostruktur za zvýšených teplot. This bachelor's thesis deals with a fabrication of gallium nitride (GaN) thin films on silicon substrates, which were structured by electron beam lithography. In thesis, different resists for selective growth of nanostructures at elevated temperatures are examined.
Klíčová slova: depozice tenkých vrstev; elektronová litografie; molekulární epitaxe; Nitrid gallia; pozitivní a negativní rezisty.; selektivní růst; deposition thin films; electron beam lithography; Gallium nitride; molecular epitaxy; positive and negative resists.; selective growth

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/27902

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-213709


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce