Název: Technologie leptání křemíku
Překlad názvu: The silicon etching technology
Autoři: Krátký, Stanislav ; Ježek,, Jan (oponent) ; Matějka, Milan (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Diplomové práce
Rok: 2012
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: [cze] [eng]

Klíčová slova: Leptadlo POL; mokré anizotropní leptání; monokrystalický křemík (100); plazma CF4; plazma O2; suché plazmatické leptání; vodný roztok KOH.; BOE; dry plasma etching; monocrystalline silicon (100); plasma CF4; plasma O2; water solution of KOH; wet anisotropic etching.

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/13482

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-219382


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Diplomové práce
 Záznam vytvořen dne 2016-06-03, naposledy upraven 2022-09-04.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet