Název:
MOVPE InAs/GaAs kvantové tečky s dlouhovlnnou emisí
Překlad názvu:
MOVPE InAs/GaAs quantum dots with long-wavelength emission
Autoři:
Oswald, Jiří ; Kuldová, Karla ; Hospodková, Alice ; Hulicius, Eduard ; Pangrác, Jiří ; Mates, Tomáš ; Melichar, Karel ; Vyskočil, Jan Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /11./, Brno (CZ), 2006-06-23 / 2006-06-28
Rok:
2006
Jazyk:
cze
Abstrakt: [cze][eng] Jedním ze způsobů umožňujících posuv fotoluminiscenčního spektra InAs/GaAs kvantových teček k delším vlnovým délkám je jejich překrytí vrstvou In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As redukující pnutí. S rostoucím x byl pozorován posuv PL maxima od 1.28 μm k 1.46 μm.One method which enables the shift of photoluminescence spectra of InAs/GaAs quantum dots toward longer wavelengths is the covering of the dots by In.sub.x./sub.Ga.sub.1-x./sub.As strain reducing layer. With the increasing x we have observed the shift of PL maxima from 1.28 μm to 1.46 μm.
Klíčová slova:
GaAs; InAs; MOVPE; photoluminescence; quantum dot Číslo projektu: CEZ:AV0Z10100521 (CEP), KJB101630601 (CEP), GA202/06/0718 (CEP), GA202/05/0242 (CEP), LC510 (CEP), LC06040 (CEP) Poskytovatel projektu: GA AV ČR, GA ČR, GA ČR, GA MŠk, GA MŠk Zdrojový dokument: Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích
Instituce: Fyzikální ústav AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0136926