Název: Vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček ve vertikálně korelovaných strukturách s dvěma vrstvami kvantových teček získaných pomocí MOVPE
Překlad názvu: Properties of InAs/GaAs quantum dots in vertically correlated structures with 2 QD layers grown by MOVPE
Autoři: Vyskočil, Jan ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Oswald, Jiří ; Mates, Tomáš ; Melichar, Karel ; Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Konference/Akce: Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích /11./, Brno (CZ), 2006-06-23 / 2006-06-28
Rok: 2006
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Studovali jsme tvar QD ve strukturách s vertikálně korelovanými kvantovými tečkami ve dvou vrstvách. Zaměřili jsme se na vliv oddělovací vrstvy na laterální tvar (prodloužení) QD a na intensitu fotoluminiscence. We have studied the shape of QDs in structures with vertically correlated QDs where two layers of QDs were grown. We investigated the influence of spacer thickness on lateral shape (elongation) of QDs and photoluminescence intensity.
Klíčová slova: GaAs; InAs; MOVPE; quantum dot
Číslo projektu: CEZ:AV0Z10100521 (CEP), GA202/06/0718 (CEP), GA202/05/0242 (CEP), LC510 (CEP), LC06040 (CEP), KJB101630601 (CEP)
Poskytovatel projektu: GA ČR, GA ČR, GA MŠk, GA MŠk, GA AV ČR
Zdrojový dokument: Optické vlastnosti pevných látek v základním výzkumu a aplikacích

Instituce: Fyzikální ústav AV ČR (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0136927

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-35802


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Věda a výzkum > AV ČR > Fyzikální ústav
Konferenční materiály > Příspěvky z konference