Název:
In situ monitoring of MOVPE grown InAs/GaAs quantum dot structures by reflectance anisotropy spectroscopy
Překlad názvu:
In situ monitorování růstu MOVPE InAs/GaAs struktur s kvantovými tečkami pomocí reflektanční anisotropické
Autoři:
Vyskočil, Jan ; Hospodková, Alice ; Pangrác, Jiří ; Melichar, Karel ; Oswald, Jiří ; Kuldová, Karla ; Mates, Tomáš ; Šimeček, Tomislav ; Hulicius, Eduard Typ dokumentu: Příspěvky z konference Konference/Akce: International Conference NANO´07, Brno (CZ), 2007-10-08 / 2007-10-10
Rok:
2007
Jazyk:
eng
Abstrakt: [eng][cze] Reflectance anisotropy spectroscopy (RAS) has been used for the real-time observation and optimization of single and double InAs/GaAs quantum dot layer structure growth. The properties of samples were ex situ characterized by photoluminescence and AFM.Pomocí reflektanční anisotropické spektroskopie jsme pozorovali a optimalizovali růst struktur s jednou a dvěma vrstvami InAs/GaAs kvantových teček. Vlastnosti vzorků byly po růstu charakterizovány s využitím fotoluminiscence a AFM.
Klíčová slova:
GaAs; InAs; MOVPE; quantum dots; RAS Číslo projektu: CEZ:AV0Z10100521 (CEP) Zdrojový dokument: NANO´07, ISBN 978-80-214-3460-8
Instituce: Fyzikální ústav AV ČR
(web)
Informace o dostupnosti dokumentu:
Dokument je dostupný v příslušném ústavu Akademie věd ČR. Původní záznam: http://hdl.handle.net/11104/0158353