Název: Terahertzové záření v nanostrukturách
Překlad názvu: Terahertz radiation in nanostructures
Autoři: Hendrych, Erik ; Ostatnický, Tomáš (vedoucí práce) ; Kozák, Martin (oponent)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2018
Jazyk: cze
Abstrakt: [cze] [eng]
Zkoumáme vodivost nanostruktur v terahertzové oblasti. Nanostrukturu modelujeme jako pravoúhlou potenciálovou jámu konečné hloubky s bariérou uvnitř. Zjišťujeme, jak závisí vodivost na teplotě, materiálových konstantách a rozměrech potenciálové jámy. Vodivost materiálu souvisí přes komplexní index lomu s jeho optickými vlastnostmi (odrazivost, propustnost a koeficient útlumu). Vyneseme-li si závislost vodivosti materiálu na frekvenci elektrického pole, maxima této závislosti odpovídají spektrálním čárám. Zkoumali jsme závislost frekvencí těchto maxim (resp. spektrálních čar) na různých parametrech. Nejzajímavější byl případ, kdy jsme spojitě měnili polohu bariéry uvnitř potenciálové jámy. Došli jsme ke kvalitativně zcela odlišným výsledkům pro různé výšky bariéry. S vysokou bariérou se systém chová jako dvě oddělené potenciálové jámy a můžeme pozorovat monotónní závislosti polohy maxim (spektrálních čar) na poloze bariéry. S nízkou bariérou pozorujeme oscilující závislosti. Pro galium arsenid a šířku bariéry 2 nm se bariéra vyšší než 1 eV chová jako vysoká a bariéra nižší než 0.05 eV se chová jako nízká. We explore conductivity of nanostructures in the terahertz range. We model the nanostructure as a square potential well with a barrier inside. We examine how the conductivity depends on temperature, material constants and dimensions of the potential well. The conductivity of the material determines the complex refractive index and thus influences its optical properties such as reflexivity, transmittance and attenuation coefficient. We construct the functional dependency of the conductivity on the electric field frequency. The maxima of this functional dependency correspond to spectral lines. We examined the dependency of the frequencies of the maxima (spectral lines) on various parameters. We got the most interesting result when we continuously changed the position of the barrier inside the potential well. For different heights of the barrier we got qualitatively different results. With high barrier the system behaves as two separate potential wells where we can see monotonous functional dependency of the spectral lines on the position of the barrier. With low potential barrier we get oscillating dependencies. For gallium arsenide and 2 nm width of the potential barrier, high barrier is higher than 1 eV, while low barrier is lower than 0, 05 eV.
Klíčová slova: nanokrystal; potenciálová jáma; terahertzové záření; vodivost; conductivity; nanocrystal; potential well; terahertz radiation

Instituce: Fakulty UK (VŠKP) (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Dostupné v digitálním repozitáři UK.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/20.500.11956/101954

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-388167


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Univerzita Karlova > Fakulty UK (VŠKP)
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce