Název: Wet Etching Of Sio2 As Sacrificial Layer With Infinite Selectivity To Al
Autoři: Brodský, Jan
Typ dokumentu: Příspěvky z konference
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně, Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií
Abstrakt: This work presents an unusual method for releasing microelectromechanical systems which contain an Al layer. This is done by wet etching of SiO2 as a sacrificial layer. Mixture of 49% HF acid and 20% H2SO4∙SO3 (oleum) is used. Oleum keeps the solution water-free and subsequently prevents the attack of Al layer. Exceptional etch rate (≈ 1 μm·min−1) of thermally grown SiO2 is achieved by this method. The infinite selectivity to Al layer is verified by measuring the thickness of layer before and after etching. The etching itself is done in an ordinary fume hood in polytetrafluorethylene (PTFE) beaker.
Klíčová slova: MEMS; sacrificial layer; selectivity; SiO2 etching
Zdrojový dokument: Proceedings I of the 26st Conference STUDENT EEICT 2020: General papers, ISBN 978-80-214-5867-3

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/200582

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-447634


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Konferenční materiály > Příspěvky z konference