Název: Plazmochemické úpravy substrátů a vrstev v R2R režimu
Překlad názvu: Plasmochemical treatment of substrates and coatings in R2R arrangement
Autoři: Patakyová, Sylvia ; Homola,, Tomáš (oponent) ; Dzik, Petr (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2021
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta chemická
Abstrakt: [cze] [eng]
Táto bakalárska práca sa zaoberá porovnaním vlastností dvoch typov oxidu titaničitého, ktorý je vďaka svojim polovodivým vlastnostiam komerčne využívaný vo fotoaktívnych vrstvách. Hlavným dôvodom ich porovnávania je ich rozdielna cena a tým aj možný dosah na priemyselné využitie. Fotoaktívne vrstvy vytvorené viacerými technikami mokrého nanášania sú ošetrené atmosferickou plazmou. Vplyv plazmy na jednotlivé kompozity je skúmaný elektroanalytickými metódami. Voltametrické a chronoamperometrické charakteristiky poukazujú na závislosť aktivity substrátu na čase či vzdialenosti plazmatického opracovania. Pomocou SEM metódy boli nasnímané povrchy kompozitov a analyzované vzájomné povrchové vlastnosti neopracovaných kompozitov a vplyvu siloxanového spojiva. This bachelor thesis deals with the comparison of the properties of two titanium dioxide types, which is due to its semiconductive properties commercially used in photoactive layers. The main reason for comparing these sources is their different price which can have possible impact on industrial use. Photoactive layers formed by various wet deposition techniques are cured by atmospheric plasma. The effect of plasma on individual depositions is investigated by electroanalytical methods. Voltametric and chronoamperometric characteristics indicate the dependence of the substrate activity on the time or distance of plasma treatment. Surface of composites were scanned by SEM and the mutual surface properties of untreated composites and the effect of siloxane binder on them were analyzed.
Klíčová slova: mezoporézne vrstvy; oxid titaničitý; plazmatické ošetrenie; polovodič; R2R; TiO2; mesoporous layers; plasma treatment; R2R; semiconductor; TiO2; titanium dioxide

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/201238

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-449262


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce