Název: Depozice GaN nanostruktur na Si(111) 7x7
Překlad názvu: Deposition of GaN nano structures on Si(111) 7x7
Autoři: Šťastný, Jakub ; Horák, Michal (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2023
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]

Klíčová slova: 2D; depozice; flashování; GaN; nanokrystal; nitridace; ostrůvek; žíhání; 2D; annealing; deposition; flashing; GaN; island; nanocrystal; nitridation

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/211704

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-529975


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce
 Záznam vytvořen dne 2023-07-23, naposledy upraven 2023-08-06.


Není přiložen dokument
  • Exportovat ve formátu DC, NUŠL, RIS
  • Sdílet