Název: Měření transportních vlastností grafenu
Překlad názvu: Measurement of graphene transport properties
Autoři: Nečesal, Daniel ; Procházka, Pavel (oponent) ; Kormoš, Lukáš (vedoucí práce)
Typ dokumentu: Bakalářské práce
Rok: 2018
Jazyk: cze
Nakladatel: Vysoké učení technické v Brně. Fakulta strojního inženýrství
Abstrakt: [cze] [eng]
Pro použití grafenu v elektronice je nutné vytvořit velké plochy grafenu vysoké kva- lity, k čemuž se využívá chemická depozice z plynné fáze (CVD). Kvalitu grafenové folie určuje pohyblivost nosičů náboje, protože je nepřímo úměrná počtu defektů grafenu, čehož bylo využito v této bakalářské práci. Byly vyrobeny vzorky s CVD grafenem pro měření transportních vlastností metodami van der Pauw a Hall bar. Grafen byl na vzorky přenesen dvěma metodami, pomocí roztoku dusičnanu železitého nebo pomocí elektrolytické delaminace. Bylo zjištěno vysoké p-dotování měřeného grafenu. U vzorku s přeneseným grafenem pomocí elektrolytické delaminace byla pozorována vysoká mo- bilita nosičů náboje a Diracův bod byl nalezen díky sníženému p-dotování. In order to create electronic devices utilizing graphene, it is necessary to manu- facture large sheets of high quality graphene which can be achieved by chemical vapor deposition (CVD). Mobility plays an important role in determining quality of graphene sheet because it is inversely proportional to concentration of defects. In this work, CVD graphene samples were fabricated, and their transport properties were characterized by van der Pauw and Hall bar methods. Graphene was transferred to samples either by using Fe(NO3)3 solution or via electrolytic delamination process. Both methods yiel- ded highly p-doped graphene. The electrolytic delamination transfer process resulted in a higher mobility of the graphene sheet and the Dirac point was observed due to a significant doping decrease.
Klíčová slova: Diracův bod; FET; Grafen; Hall bar; koncentrace nosičů náboje; mobilita nosičů náboje; transportní vlastnosti; van der Pauw; charge carrier concentration; charge carrier mobility; Dirac point; FET; Graphene; Hall bar; transport properties; van der Pauw

Instituce: Vysoké učení technické v Brně (web)
Informace o dostupnosti dokumentu: Plný text je dostupný v Digitální knihovně VUT.
Původní záznam: http://hdl.handle.net/11012/83726

Trvalý odkaz NUŠL: http://www.nusl.cz/ntk/nusl-593144


Záznam je zařazen do těchto sbírek:
Školství > Veřejné vysoké školy > Vysoké učení technické v Brně
Vysokoškolské kvalifikační práce > Bakalářské práce